"Русский переплет" зарегистрирован как СМИ.
Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.
|
|
17.03.2021
15:33 |
Спутники помогут предсказывать извержения вулканов 
Отслеживание температуры вулканов из космоса позволит прогнозировать извержения еще за пару лет до начала активной фазы. Как наступление болезни часто можно . . . |
|
17.03.2021
15:25 |
Как умирают черные дыры? 
Самыми таинственными объектами во Вселенной по праву можно назвать черные дыры – области пространства-времени гравитация которых настолько сильна, что ничто, . . . |
|
16.03.2021
15:30 |
Таяние ледников может ускорить выбросы углерода в атмосферу 
Исчезновение ледников во всем мире усиливает распад сложных молекул углерода в реках, потенциально способствуя дальнейшему изменению климата Международная . . . |
|
16.03.2021
14:42 |
Глобальное потепление привело к экстремальной засухе в Европе 
Период засухи в летние сезоны с 2015 по 2018 год стал самым суровым за последние две с лишним тысячи лет. Антропогенное изменение климата является вероятно причиной . . . |
|
16.03.2021
14:39 |
Под километровым льдом Гренландии нашли живые растения
Авторы новой работы изучили растения, найденные во льду. Их результаты показывают, что большая часть или вся Гренландия оттает ото льда в ближайший миллион лет . . . |
|
16.03.2021
14:30 |
Samsung успешно создала 3-нм чип на совершенно новых транзисторах: быстрее, экономичнее, плотнее  Компания Samsung сообщила о создании опытного 256-Мбит массива памяти SRAM с использованием 3-нм техпроцесса и совершенного новых транзисторов MBCFET. Образец позволил подтвердить характеристики будущего техпроцесса. Тем самым Samsung от теории шагнула к практике и можно рассчитывать, что 3-нм производство полупроводников она запустит уже в следующем году.
Следует сказать, что аббревиатура MBCFET (multi-bridge channel FET) в названии нового типа транзисторов — это зарегистрированная торговая марка Samsung. В широком смысле это так называемые транзисторы GAAFET с кольцевым или всеохватывающим затвором, когда канал или несколько каналов транзистора окружены затвором со всех четырёх сторон.
Эта концепция была представлена ещё в 1988 году и хорошо изучена теоретически, но повод перейти на эту структуру появился лишь сейчас, поскольку ставшие классическими FinFET-транзисторы с вертикальными рёбрами-плавниками перестают нормально работать с технологическими нормами менее 5 нм. В случае дальнейшего наращивания производительности и снижения потребления с одновременным уменьшением физических размеров транзисторов (в процессе снижения технологических норм) управлять транзисторными каналами становится сложнее. Поэтому увеличение площади контакта между затвором и каналом за счёт полного охвата канала является простым выходом из ситуации, который, что очень важно, позволяет выпускать новые транзисторы на прежнем оборудовании.
Добавим, важным новшеством при производстве чипов на транзисторах MBCFET (GAAFET) станет возможность задавать ширину каналов-наностраниц, а также их число в составе каждого транзистора, для каждого отдельного случая. Например, для более производительной логики ширину наностраниц можно увеличить, а для блоков с низким потреблением уменьшить.
Более того, появляется возможность настолько гибкого проектирования, что даже в отдельно взятой шеститранзисторной элементарной ячейке SRAM часть транзисторов можно создать с широкими наностраницами-каналами, а часть с узкими. Именно это Samsung продемонстрировала при создании опытного 256-Мбит 3-нм массива SRAM. Измерения показали, что переход на ячейку со смешанными транзисторами на ровном месте снизил напряжение записи на 256 мВ.
Наконец, компания подтвердила способность добиться новых уровней производительности и эффективности. Так, по сравнению с 7-нм техпроцессом 7LPP скорость работы 3-нм MBCFET транзисторов выросла до 30 % (при одинаковом уровне потребления и сложности), а при работе на одинаковых частотах и той же сложности потребление снизилось до 50 %. Рост плотности транзисторов в смешанной схеме (SRAM плюс логика) составил до 80 %.
По информации https://3dnews.ru/1034728/samsung-uspeshno-sozdala-3nm-chip-na-sovershenno-novih-tranzistorah-bistree-ekonomichnee-plotnee
|
|
16.03.2021
13:49 |
К 2075 году океаны будут выбрасывать больше озоноразрушающих веществ, чем поглощают
Мировой океан является огромным хранилищем газов, например в нем есть озоноразрушающие хлорфторуглероды. Ученые выяснили, что наступит переломный момент, когда . . . |
|
16.03.2021
13:45 |
В Китае из солнечной энергии сделали жидкое топливо
Китай совершил крупный прорыв в преобразовании солнечной энергии в жидкое топливо, передает CCTV. Местное телевидение выпустило репортаж, посвященный завершению . . . |
|
16.03.2021
13:43 |
Посмотрите на медленно умирающую галактику, которая потеряла почти весь газ и пыль 
Европейское космическое агентство (ЕКА) сделало удивительный снимок умирающей галактики с помощью космического телескопа Хаббла. Известно, что многие галактики . . . |
|
16.03.2021
13:34 |
Обломки звездного взрыва найдены в необычном месте 
Космический телескоп eROSITA обнаружил самый большой остаток сверхновой, когда-либо замеченный с помощью рентгеновских лучей, - пишет eurekalert.org. В ходе первого обзора . . . |
|
16.03.2021
13:19 |
Во Вселенной может оказаться много планет с богатыми водой атмосферами 
Атмосфера Земли делает возможным существование на ее поверхности живых организмов, регулирует климат и защищает нас от губительных космических лучей. Но . . . |
|
15.03.2021
18:43 |
Ученые начнут поиски гигантских внеземных технологий 
Ученые Института астрофизики Канарских островов предложили новые способы поиска внеземных цивилизаций, основанные на выявлении техносигнатур — признаков . . . |
|
15.03.2021
18:36 |
Зрелую звездную систему помогли охарактеризовать наблюдения столетней давности 
Астрономы получили лучшую на сегодняшний день картину системы переменной звезды типа RV Тельца, двойной звезды редкого типа, в которой две звездные компоненты – . . . |
|
15.03.2021
17:12 |
“Хаббл” заглянул в центр Млечного Пути 
На этом изображении показан центр нашей галактики Млечный Путь. Изображение покрывает участок неба размером 0,5 на 0,25 градусов и содержит более 180 000 звёзд, . . . |
|
15.03.2021
15:49 |
Космический телескоп "Хаббл" сфотографировал необычную планетарную туманность 
Орбитальный телескоп "Хаббл" использовал камеру Wide Field Camera 3 для получения снимка необыкновенной планетарной туманности Abell 78, расположенной в направлении . . . |
|
15.03.2021
15:43 |
Вселенная расширяется так, будто бы идет вразнос 
Наблюдая в рамках обзора MASSIVE за соседними массивными галактиками, расположенными в радиусе 100 мегапарсеков (Mpc) от Земли – это 330 миллионов световых лет, астрономы . . . |
|
15.03.2021
15:00 |
Хаббл сделал потрясающее фото туманности на расстоянии около 4900 световых лет 
Хаббл сделал невероятно красивое фото туманности на расстоянии около 4900 световых лет в созвездии Близнецов, которая называется AFGL 5180 и является частью огромного . . . |
|
15.03.2021
14:41 |
Ученые считают нереалистичным переселение на другую планету ради спасения от возможной катастрофы на Земле 
Главный британский астрофизик Мартин Рис заявил о заблужении основателя Tesla и SpaceX Илона Маска, касательно его планов по колонизации Марс, пишет Sky News. "Идея Илона . . . |
|
15.03.2021
14:35 |
Самый большой в мире айсберг разрушился, осколки устремились на север. Это опасно? 
Один из крупнейших айсбергов всех времен A-68 оторвался от шельфового ледника Ларсен-C в 2017 году, и в последние месяцы за ним внимательно наблюдали, поскольку он . . . |
|
15.03.2021
14:28 |
Посмотрите на планетарность рожденной заново звезды 
Камера Wide Field Camera 3 космического телескопа Хаббла и система PANSTARSS получила фотографию уникальной планетарной туманности Abell 78. Abell 78 находится на расстоянии около 5 . . . |
