"Русский переплет" зарегистрирован как СМИ.
Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.
|
20.04.2015 16:53 |
Движущая сила закона Мура
В ходе встречи с выпускниками вузов Брайан Кржанич (Brian Krzanich), главный исполнительный директор Intel, посоветовал будущим профессионалам подготовить для себя план . . . |
20.04.2015 16:50 |
50-ая годовщина закона Мура
За три года до того, как стать одним из основателей Intel, Гордон Мур сделал наблюдение, согласно которому транзисторы, основополагающие компоненты микропроцессоров . . . |
20.04.2015 16:47 |
Гордон Мур о законе Мура
19 апреля 2015 года исполняется 50 лет закону Мура — эмпирическому правилу, которое последние несколько десятилетий определяло и продолжает определять темпы и . . . |
20.04.2015 16:41 |
Астрономы сфотографировали ближайшего двойника Солнечной системы
Международной команде астрономов впервые удалось получить снимок ближайшего к Земле близнеца Солнечной системы. Результаты своих исследований авторы . . . |
20.04.2015 14:34 |
Япония запланировала полет на Луну
Япония запланировала в апреле 2018 года отправить на Луну свой космический аппарат. Если это произойдет, она станет четвертой страной, осуществившей лунную миссию, . . . |
20.04.2015 14:31 |
Исследование нефтегазовой отрасли показало ее готовность к цифровым трансформациям на основе Всеобъемлющего Интернета
Блог Джозефа Брэдли (Joseph Bradley), вице-президента консалтингового подразделения Cisco Consulting Services по практическому применению Всеобъемлющего Интернета Лучшей . . . |
20.04.2015 14:28 |
Парадокс влияния ИКТ на рост и неравенство
Блог д-ра Роберта Пеппера (Robert Pepper), вице-президента компании Cisco по корпоративной политике в области технологий Тридцать лет назад комиссия ООН опубликовала . . . |
20.04.2015 13:06 |
Деятельность живых организмов назвали причиной роста континентов
Жизнь на Земле, несмотря на все связанные с ней эрозионные процессы, заставляет континенты увеличиваться в размере. К такому неожиданному выводу пришли немецкие . . . |
20.04.2015 13:03 |
Ученые нашли самый богатый бактериями народ
Микрофлора кишечника венесуэльских индейцев, не вступающих в контакт с современной цивилизацией, оказалась самой богатой на разнообразные бактерии — по . . . |
19.04.2015 18:41 |
Орбитальный мусор будут расстреливать лазерами
Сфера применения лазеров расширяется с каждым днем: сегодня их используют для создания силовых полей из Star Wars и уничтожения объектов взглядом, как в «Людях Икс», а . . . |
19.04.2015 18:24 |
Японцы разогнали поезд-маглев до 590 км/ч
Компания Central Japan Railway, дислоцирующаяся в Японии и работающая в железнодорожной сфере, сегодня шокировала весь мир своим новым рекордом. Как выяснилось, она сумела . . . |
19.04.2015 18:06 |
В мире за год выбросили 300 тонн золота
В прошлом году люди во всем мире выбросили около 41,8 миллиона тонн электронного и электрооборудования. Об этом свидетельствует доклад Университета ООН, передает . . . |
19.04.2015 13:12 |
Российские археологи раскопали в Египте стену древней столицы
Российские археологи раскопали в районе Мемфиса фрагменты белой стены — ограждения первой древней столицы объединенного Египта. Об этом ТАСС сообщила . . . |
18.04.2015 23:31 |
Аналог Кремниевой долины в Крыму пообещали построить за пять лет
Проект «Цифровая долина» планируется реализовать в Крыму и Севастополе до 2020 года. Об этом в субботу, 18 апреля, на международном экономическом форуме в Ялте . . . |
18.04.2015 17:02 |
TSMC раскрывает детали о 10-нм технологическом процессе Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. рассказала новые подробности о своём 10-нм технологическом процессе на организованном симпозиуме в США. Заявленные показатели для техпроцесса оказались чуть менее амбициозными, чем обсуждаемые, однако, основным направлением улучшений является увеличение плотности размещения транзисторов по сравнению с новейшими технологиями компании.
Технологический процесс 10 нм TSMC (CLN10FF) увеличит плотность транзисторов на 110 % по сравнению с технологией 16 нм FinFET+ (CLN16FF+), согласно данным TSMC. По сравнению с наиболее продвинутой версией 16-нм техпроцесса TSMC, частотный потенциал CLN10FF вырастет на 20 % при неизменном энергопотреблении, а потребление энергии упадёт на 40 % при аналогичной сложности и тактовой частоте чипа.
Разработка 10-нм технологии производства микросхем проходит по плану; на своём симпозиуме TSMC продемонстрировала 300-мм подложку с 256-Мбайт интегральными схемами памяти SRAM, обработанную по указанному техпроцессу.
Поскольку 16-нм нормы производства TSMC используют межблочные соединения, изолирующие слои и контакты от 20-нм техпроцесса, то и размеры микросхем, произведённых по CLN16FF/CLN16FF+, аналогичны размерам чипов, созданных по технологии 20 нм (CLN20SOC). 16-нм техпроцессы TSMC используют более продвинутые транзисторы с вертикально расположенным затвором (fin field effect transistor, FinFET), что увеличивает частотный потенциал и уменьшает энергопотребление произведённых интегральных схем. Однако себестоимость микросхем, произведённых по 16-нм технологиям в пересчёте на чип и на транзистор, выше, чем у чипов, созданных по 20-нм техпроцессу.
Учитывая особенности 16-нм технологий TSMC, а также ценообразования компании, основной задачей 10-нм процесса является увеличение плотности транзисторов на квадратный миллиметр площади. Последнее снизит себестоимость микросхем в пересчёте на единицу продукции и на транзистор. Хотя увеличение плотности на 110 % (более чем в два раза) очень хороший результат, это ниже, чем увеличение в 2,25 раза, которое озвучивалось прошлым летом. Изменение некоторых характеристик технологического процесса говорит о том, что разработка всё еще идёт.
В ближайшие кварталы TSMC планирует установить оборудование для опытного производства микросхем с использованием 10-нм технологии в одном из существующих производственных комплексов. Пробное производство планируется начать в последней четверти 2015 года. Во втором квартале 2016 компания планирует приступить к строительству полностью новой фабрики, которая впоследствии будет производить интегральные схемы по технологии 10 нм. Ожидается, что 10-нм техпроцесс станет применяться для массового производства микросхем в 2017 г.
Ранее в этом году TSMC сообщила, что 10-нм технологический процесс станет долгожителем и будет использован для производства самых разных микросхем долгие годы.
Примечательно, что компания TSMC не стала рассказывать, какие преимущества получат 10-нм микросхемы, если ей удастся внедрить использование литографических сканеров, работающих в диапазоне EUV (extreme ultraviolet — излучение с длиной волны 13,5 нм). По всей видимости, ситуация с доступностью EUV-сканеров, экономически эффективных для массового производства интегральных схем, пока остаётся неясной.
По информации http://www.3dnews.ru/news/912538?ext=subscribe&source=subscribeRu
|
18.04.2015 16:45 |
IBM и Fujifilm разработали ленточный привод, способный хранить 220 Тбайт данных
В эпоху многотерабайтных жёстких дисков — их ёмкость уже достигла отметки 10 Тбайт — и практически бесконечных облаков многие считают ленточные приводы приветом . . . |
18.04.2015 16:38 |
Apple поможет IBM совершить революцию в сфере здравохранения
В технологическом плане США может дать фору многим странам, а сейчас Штаты еще и показывают пример адаптации к развитым технологиям медицинской сферы. Работа над . . . |
18.04.2015 16:33 |
У кометы Чурюмова-Герасименко не выявлено своего магнитного поля
Участники миссии Rosetta пришли к выводу, что у кометы Чурюмова-Герасименко отсутствует собственное магнитное поле. Об этом сообщается на сайте Европейского . . . |
18.04.2015 16:24 |
Итальянец проживет год в сфере ради изучения айсбергов
Наиболее точные данные в ходе исследований удается получить при непосредственном наблюдении вблизи объекта изучения. Как исследовать айсберг? Необходимо . . . |
18.04.2015 16:13 |
Четыре спутника смогут обеспечить устойчивой связью Арктическую зону России к 2021 году
14 апреля состоялось Первое заседание Государственной комиссии по вопросам развития Арктики, на котором обсуждались вопросы обеспечения устойчивой связи на . . . |